P-Kanal-Transistor FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 2.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 23nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 510pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: -500V. Einschaltwiderstand Rds On: 3.9 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±30V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. ID (T=100°C): 1.71A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10.8A. Kanaltyp: P. Konditionierung: tubus. Kosten): 70pF. Leistung: 85W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Strömung abfließen: -2.7A. Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Widerstand auf den Staat: 4.9 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41