P-Kanal-Transistor IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 42nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1200pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: -55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.4K/W. ID (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: P. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 520pF. Leistung: 110W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Strömung abfließen: -31A. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 71 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00