P-Kanal-Transistor IRF7342TRPBF, SO8, -55V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Antriebsspannung: -. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 690pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: F7342. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 3.4A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). MSL: 1. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Polarität: MOSFET P. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Vdss (Drain-Source-Spannung): -55V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:24