P-Kanal-Transistor IRF9510PBF, TO-220, -100V, 4A, -100V, 4A, 500uA, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V. Maximaler Drainstrom: 4A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 200pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: IRF9510PBF. ID (T=100°C): 2.8A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: P. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 94pF. Leistung: 43W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 43W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 43W. RoHS: ja. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 82 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43