P-Kanal-Transistor IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V

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P-Kanal-Transistor IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V. Maximaler Drainstrom: 6A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -6.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Herstellerkennzeichnung: IRF9520. Kanaltyp: P. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 40W. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:42

Technische Dokumentation (PDF)
IRF9520NPBF
21 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vds)
-100V
Maximaler Drainstrom
6A
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-100V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
28 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
350pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-6.8A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.48 Ohms @ -4A
Einschaltzeit ton [nsec.]
14 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-4V
Herstellerkennzeichnung
IRF9520
Kanaltyp
P
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
40W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
48W
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier