P-Kanal-Transistor IRF9530NSTRLPBF, D2PAK
Menge
Stückpreis
1-9
2.82fr
10-49
1.80fr
50-99
1.70fr
100-199
1.66fr
200+
1.63fr
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P-Kanal-Transistor IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Gehäuse: D2PAK. : erweitert. Drain-Source-Spannung: -100V. Leistung: 3.8W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -14A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: P-MOSFET. Verpackung: Spule. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:22
IRF9530NSTRLPBF
12 Parameter
Gehäuse
D2PAK
erweitert
Drain-Source-Spannung
-100V
Leistung
3.8W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-14A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
P-MOSFET
Verpackung
Spule
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies