P-Kanal-Transistor IRF9530NSTRLPBF, D2PAK
Menge
Stückpreis
1-4
2.87fr
5-9
1.91fr
10-19
1.77fr
20-49
1.68fr
50+
1.61fr
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P-Kanal-Transistor IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Gehäuse: D2PAK. : erweitert. Drain-Source-Spannung: -100V. Leistung: 3.8W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -14A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: P-MOSFET. Verpackung: Spule. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 01/01/2026, 21:12
IRF9530NSTRLPBF
12 Parameter
Gehäuse
D2PAK
erweitert
Drain-Source-Spannung
-100V
Leistung
3.8W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-14A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
P-MOSFET
Verpackung
Spule
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies