P-Kanal-Transistor IRF9540, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V

P-Kanal-Transistor IRF9540, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.37fr
5-24
1.16fr
25-49
1.02fr
50-99
0.93fr
100+
0.79fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 136

P-Kanal-Transistor IRF9540, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1400pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 13A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 72A. Kanaltyp: P. Kosten): 590pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 34 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

Technische Dokumentation (PDF)
IRF9540
29 Parameter
ID (T=25°C)
19A
IDSS (max)
500uA
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1400pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.20 Ohms
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
13A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
72A
Kanaltyp
P
Kosten)
590pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Td(off)
34 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
130 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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