P-Kanal-Transistor IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V

P-Kanal-Transistor IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V

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P-Kanal-Transistor IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -55V. Maximaler Drainstrom: 17A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 620pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -19A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Herstellerkennzeichnung: IRF9Z34NPBF. Kanaltyp: P. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 56W. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:06

Technische Dokumentation (PDF)
IRF9Z34NPBF
22 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vds)
-55V
Maximaler Drainstrom
17A
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-55V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
30 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
620pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-19A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.1 Ohms @ -10A
Einschaltwiderstand Rds On
0.10 Ohms
Einschaltzeit ton [nsec.]
13 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-4V
Herstellerkennzeichnung
IRF9Z34NPBF
Kanaltyp
P
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
56W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
68W
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier