P-Kanal-Transistor IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Gehäuse: DIP. ID (T=25°C): 0.56A. IDSS (max): 0.56A. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 4. Aufladung: 15nC. Drain-Source-Spannung: -200V. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Gate-Source-Spannung: ±20V. Herstellerkennzeichnung: IRFD9220PBF. ID (T=100°C): 0.34A. Kanaltyp: P. Leistung: 1W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -600mA, -0.36A. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: P-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43