P-Kanal-Transistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

P-Kanal-Transistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
0.72fr
5-49
0.60fr
50-99
0.51fr
100-199
0.46fr
200+
0.38fr
Menge auf Lager: 78

P-Kanal-Transistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.1A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 100V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 200pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 0.69A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 8.8A. Kanaltyp: P. Kosten): 94pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFL9110
28 Parameter
ID (T=25°C)
1.1A
IDSS (max)
500uA
Gehäuse
SOT-223 ( TO-226 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-223
Spannung Vds(max)
100V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
200pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
1.2 Ohms
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
0.69A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
8.8A
Kanaltyp
P
Kosten)
94pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
3.1W
RoHS
ja
Td(off)
15 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
80 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay