P-Kanal-Transistor IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

P-Kanal-Transistor IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.83fr
5-24
0.69fr
25-49
0.58fr
50+
0.52fr
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P-Kanal-Transistor IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 5.1A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 270pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 3.2A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: P. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Td(off): 9.6 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: FET. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFR9014
29 Parameter
ID (T=25°C)
5.1A
IDSS (max)
500uA
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
270pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Einschaltwiderstand Rds On
0.50 Ohms
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
3.2A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
20A
Kanaltyp
P
Kosten)
170pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
25W
RoHS
ja
Td(off)
9.6 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
FET
Trr-Diode (Min.)
80 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay