P-Kanal-Transistor IRFR9024PBF, TO252AA, TO-252, -60V

P-Kanal-Transistor IRFR9024PBF, TO252AA, TO-252, -60V

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P-Kanal-Transistor IRFR9024PBF, TO252AA, TO-252, -60V. Gehäuse: TO252AA. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 570pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -8.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRFR9024PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 8.8A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Polarität: MOSFET P. RoHS: ja. Serie: IRFR. Vdss (Drain-Source-Spannung): -60V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFR9024PBF
25 Parameter
Gehäuse
TO252AA
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-252
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-60V
Antriebsspannung
10V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
15 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
570pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-8.8A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.28 Ohms @ -5.3A
Einschaltzeit ton [nsec.]
13 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-4V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Herstellerkennzeichnung
IRFR9024PBF
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
8.8A
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
2.5W
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
42W
Polarität
MOSFET P
RoHS
ja
Serie
IRFR
Vdss (Drain-Source-Spannung)
-60V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (ir)