P-Kanal-Transistor IXGR40N60B2D1, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V

P-Kanal-Transistor IXGR40N60B2D1, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
14.20fr
5-9
13.14fr
10-24
12.28fr
25+
11.59fr
Menge auf Lager: 11

P-Kanal-Transistor IXGR40N60B2D1, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 200A. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2560pF. CE-Diode: ja. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Hinweis: Isolierkoffer. Ic(Impuls): 33A. Kanaltyp: P. Kollektorstrom: 60A. Kosten): 210pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Td(off): 130 ns. Td(on): 18 ns. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 19:59

Technische Dokumentation (PDF)
IXGR40N60B2D1
26 Parameter
Ic(T=100°C)
200A
Gehäuse
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOPLUS247
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2560pF
CE-Diode
ja
Funktion
C2-Class High Speed IGBT
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Hinweis
Isolierkoffer
Ic(Impuls)
33A
Kanaltyp
P
Kollektorstrom
60A
Kosten)
210pF
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
167W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.9V
Td(off)
130 ns
Td(on)
18 ns
Trr-Diode (Min.)
25 ns
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS