P-Kanal-Transistor NDP6020P, -20V
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P-Kanal-Transistor NDP6020P, -20V. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1590pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -24A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -0.7V. Herstellerkennzeichnung: NDP6020P. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:25
NDP6020P
11 Parameter
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-20V
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
250 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
1590pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-24A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.05 Ohms @ -24A
Einschaltzeit ton [nsec.]
30 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-0.7V
Herstellerkennzeichnung
NDP6020P
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
60W
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi