P-Kanal-Transistor NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

P-Kanal-Transistor NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.85fr
5-49
0.70fr
50-99
0.59fr
100-199
0.52fr
200+
0.46fr
Menge auf Lager: 192

P-Kanal-Transistor NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 500pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.155 Ohms. Funktion: ID pulse 36A/10ms. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NT2955. Kosten): 150pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 55W. RoHS: ja. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 50us. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:29

Technische Dokumentation (PDF)
NTD2955T4
29 Parameter
ID (T=25°C)
12A
IDSS (max)
100uA
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
500pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Einschaltwiderstand Rds On
0.155 Ohms
Funktion
ID pulse 36A/10ms
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
36A
Kanaltyp
P
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
NT2955
Kosten)
150pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
55W
RoHS
ja
Td(off)
26 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
50us
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor