P-Kanal-Transistor P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

P-Kanal-Transistor P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Menge
Stückpreis
1-4
1.86fr
5-24
1.61fr
25-49
1.36fr
50+
1.20fr
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P-Kanal-Transistor P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 690pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. Funktion: Verbesserung der Logikebene. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: P. Kosten): 310pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 28W. RoHS: ja. Td(off): 19.8 ns. Td(on): 6.7 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Niko-semi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

Technische Dokumentation (PDF)
P5504ED
29 Parameter
ID (T=25°C)
8A
IDSS (max)
10uA
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
40V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
690pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Einschaltwiderstand Rds On
0.065 Ohms
Funktion
Verbesserung der Logikebene
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
ID (T=100°C)
6A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
32A
Kanaltyp
P
Kosten)
310pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
28W
RoHS
ja
Td(off)
19.8 ns
Td(on)
6.7 ns
Technologie
Feldeffekttransistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
15.5 ns
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Niko-semi