P-Kanal-Transistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. IDSS (max): 7.1A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. G-S-Schutz: nein. ID (T=100°C): 5.7A. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:07