P-Kanal-Transistor SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 335pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 35A. Kanaltyp: P. Kosten): 105pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 35.2A. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 60us. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30