P-Kanal-Transistor SPP08P06P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO220-3. Spannung Vds(max): 60V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 335pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Funktion: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 32.5A. Kanaltyp: P. Kosten): 105pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54