P-Kanal-Transistor SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 230pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.102 Ohms. Funktion: dv/dt-bewerteter Erweiterungsmodus. G-S-Schutz: Diode. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 13.2A. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 74.8A. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18P06P. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 81W. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Vgs(th) min.: 2.7V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54