P6KE15CA

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P6KE15CA. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: bidirektional. Diodentyp: TVS. Durchbruchspannung: 15V. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.6x7.5mm ). Gehäuse: DO-15. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: bidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms). Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12.8V. Leckstrom: 1uA. Leistung: 600W. Max Rückspannung: 12.8V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pulsstrom max.: 28A. RoHS: ja. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:12

Technische Dokumentation (PDF)
P6KE15CA
26 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
bidirektional
Diodentyp
TVS
Durchbruchspannung
15V
Funktion
Transildiode, Überspannungsschutz
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-15 ( 3.6x7.5mm )
Gehäuse
DO-15
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
bidirektional
Haltespannung in Schließrichtung [V]
12.8V
Komponentenfamilie
Bidirektionaler Entstörer der P6KE-Serie (600 W bei 1 ms)
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 12.8V
Leckstrom
1uA
Leistung
600W
Max Rückspannung
12.8V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600 W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pulsstrom max.
28A
RoHS
ja
Transientenunterdrückertyp
bidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
15.8V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor