P6SMBJ33CA

P6SMBJ33CA

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Stückpreis
1-4
0.21fr
5-49
0.17fr
50-99
0.15fr
100-199
0.14fr
200+
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P6SMBJ33CA. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: bidirektional. Durchbruchspannung: 33V. Funktion: Bidirektionaler ESD-Schutz. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.1 ). Gehäuse: DO-214. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33V. Hinweis: Transildiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 33CA. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 33V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 5W (Pppm 600W). RoHS: ja. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40.7V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:49

Technische Dokumentation (PDF)
P6SMBJ33CA
22 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
bidirektional
Durchbruchspannung
33V
Funktion
Bidirektionaler ESD-Schutz
Gehäuse (laut Datenblatt)
SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.1 )
Gehäuse
DO-214
Haltespannung in Schließrichtung [V]
33V
Hinweis
Transildiode
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
33CA
Komponentenfamilie
Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD)
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 33V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
600W @ 1ms
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
5W (Pppm 600W)
RoHS
ja
Transientenunterdrückertyp
bidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
40.7V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor