S1WB80B, 1A, 800V
Menge
Stückpreis
1-4
2.37fr
5-9
2.32fr
10-24
2.27fr
25-49
2.22fr
50+
2.10fr
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S1WB80B, 1A, 800V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Gehäuse (laut Datenblatt): SMD-4. Gehäuse: SMD. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 4. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Originalprodukt vom Hersteller: Shindengen Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 02/01/2026, 16:57
S1WB80B
12 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
1A
VRRM
800V
Anzahl der Terminals
4
Dielektrische Struktur
Diodenbrücke
Gehäuse (laut Datenblatt)
SMD-4
Gehäuse
SMD
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
4
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Teilung
7.62mm
Originalprodukt vom Hersteller
Shindengen Electric