SMBJ40A
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Stückpreis
1-4
0.20fr
5-49
0.14fr
50-99
0.12fr
100+
0.11fr
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SMBJ40A. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Gehäuse: DO-214. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 100A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 600W. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Toleranz: 5%. VRRM: 40V. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:00
SMBJ40A
18 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
3.5V
Funktion
Schutz gegen Überspannung
Gehäuse (laut Datenblatt)
SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm )
Gehäuse
DO-214
Halbleitermaterial
Silizium
IFSM
100A
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
600W
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
5V
Spec info
Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms
Toleranz
5%
VRRM
40V
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor