TCET1100G
Menge
Stückpreis
1-4
0.42fr
5-49
0.35fr
50-99
0.31fr
100-199
0.27fr
200+
0.22fr
| Menge auf Lager: 156 |
TCET1100G. Anzahl der Terminals: 4. Ausgang: Transistorausgang. Betriebstemperatur: -40...+100°C. CTR: 50...600 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 1.5A. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Gehäuse: DIP. Ic(Impuls): 100mA. Irrm, Strom: 60mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Kollektorstrom: 50mA. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Teilung: 10.16mm. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50
TCET1100G
18 Parameter
Anzahl der Terminals
4
Ausgang
Transistorausgang
Betriebstemperatur
-40...+100°C
CTR
50...600 %
Courant ZF-Diode (Spitze)
1.5A
Diodenschwellenspannung
1.25V
Gehäuse (laut Datenblatt)
DIP-4
Gehäuse
DIP
Ic(Impuls)
100mA
Irrm, Strom
60mA
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
70V
Kollektorstrom
50mA
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Teilung
10.16mm
VECO
7V
Vrms
5000V
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay