TL082CDR
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TL082CDR. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Anzahl der Kreise: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der operativen Verstärker: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO-8. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +70°C. RoHS: ja. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Stromaufnahme [mA]: 2.8mA. Technologie: JFET. [V]: -. Originalprodukt vom Hersteller: Texas Instruments. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:49
TL082CDR
14 Parameter
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]
13V/us
Anzahl der Kreise
2
Anzahl der Terminals
8:1
Anzahl der operativen Verstärker
2
Bandbreite [MHz]
3 MHz
Gehäuse
SO-8
Komponentenfamilie
Operationsverstärker
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+70°C
RoHS
ja
Schaltungstyp
Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke
Stromaufnahme [mA]
2.8mA
Technologie
JFET
Originalprodukt vom Hersteller
Texas Instruments