TLP185-GB-SE-T. Anzahl der Terminals: 4. Ausgang: Transistorausgang. Betriebstemperatur: -55...+100°C. CTR: 100...400 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diode IF: 50mA. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Funktion: GaAs-IR- und Fototransistor. Gehäuse (laut Datenblatt): 11-4M1S. Gehäuse: SO. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P185GB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Kollektorstrom: 50mA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Tf (Typ): 9us. Tr: 5us. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50