Transistor BSS138LT1G

Transistor BSS138LT1G

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20-99
0.0960fr
100-499
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500-2999
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3000-8999
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9000+
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Transistor BSS138LT1G. Antriebsspannung: 5V. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Gehäuse: SOT23. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 220mA. Information: -. MSL: 1. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Polarität: MOSFET N. QG (Total Gate Ladung, max @ vgs): -. Serie: -. Vdss (Drain-Source-Spannung): 50V. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Mindestmenge: 20. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23

Technische Dokumentation (PDF)
BSS138LT1G
11 Parameter
Antriebsspannung
5V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Gehäuse
SOT23
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
220mA
MSL
1
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
0.36W
Polarität
MOSFET N
Vdss (Drain-Source-Spannung)
50V
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi
Mindestmenge
20