Transistor DI035N10PT

Transistor DI035N10PT

Menge
Stückpreis
10+
0.43fr
Menge auf Lager: 3256
Minimum: 10

Transistor DI035N10PT. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: 20V. Gehäuse: PowerQFN 3x3. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 35A. Information: -. MSL: 1. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Polarität: MOSFET N. Serie: -. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23

Technische Dokumentation (PDF)
DI035N10PT
10 Parameter
Gate/Source-Spannung Vgs max
20V
Gehäuse
PowerQFN 3x3
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
35A
MSL
1
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
25W
Polarität
MOSFET N
Vdss (Drain-Source-Spannung)
100V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec
Mindestmenge
10