Transistor IRF1010NPBF
Menge
Stückpreis
2-3
2.14fr
4-49
1.96fr
50-99
1.64fr
100-399
1.60fr
400+
1.50fr
| Menge auf Lager: 118 |
Transistor IRF1010NPBF. Antriebsspannung: 10V. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Gehäuse: TO220AB. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 85A. Information: -. MSL: -. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Polarität: MOSFET N. Serie: -. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Mindestmenge: 2. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23
IRF1010NPBF
10 Parameter
Antriebsspannung
10V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Gehäuse
TO220AB
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
85A
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
180W
Polarität
MOSFET N
Vdss (Drain-Source-Spannung)
55V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon
Mindestmenge
2