Transistor IRF530NPBF
Menge
Stückpreis
5-9
0.87fr
10-49
0.84fr
50-249
0.75fr
250-949
0.69fr
950+
0.64fr
| Menge auf Lager: 439 |
Transistor IRF530NPBF. Antriebsspannung: 10V. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Gehäuse: TO220AB. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 22A. Information: -. MSL: -. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Polarität: MOSFET N. Serie: -. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23
IRF530NPBF
10 Parameter
Antriebsspannung
10V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Gehäuse
TO220AB
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
22A
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
85W
Polarität
MOSFET N
Vdss (Drain-Source-Spannung)
100V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon
Mindestmenge
5