Transistor IRF7314TRPBF
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Transistor IRF7314TRPBF. Antriebsspannung: -. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -12V. Gehäuse: SO8. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 5.3A. Information: -. MSL: -. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Polarität: MOSFET P. Serie: HEXFET. Vdss (Drain-Source-Spannung): -20V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Mindestmenge: 4. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23
IRF7314TRPBF
10 Parameter
Gate/Source-Spannung Vgs max
-12V
Gehäuse
SO8
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
5.3A
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
2W
Polarität
MOSFET P
Serie
HEXFET
Vdss (Drain-Source-Spannung)
-20V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon
Mindestmenge
4