Transistor IRFB3206PBF
Menge
Stückpreis
2-3
2.50fr
4-19
2.42fr
20-49
2.16fr
50-349
2.04fr
350+
1.82fr
| Menge auf Lager: 85 |
Transistor IRFB3206PBF. Antriebsspannung: 10V. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Gehäuse: TO220. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 210A. Information: -. MSL: -. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Polarität: MOSFET N. Serie: HEXFET. Vdss (Drain-Source-Spannung): 60V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Mindestmenge: 2. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23
IRFB3206PBF
11 Parameter
Antriebsspannung
10V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Gehäuse
TO220
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
210A
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
300W
Polarität
MOSFET N
Serie
HEXFET
Vdss (Drain-Source-Spannung)
60V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon
Mindestmenge
2