Transistor IRLML0060TRPBF
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Transistor IRLML0060TRPBF. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: ±16V. Gehäuse: SOT23. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 2.7A. Information: -. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Polarität: MOSFET N. Rds on (max) @ id, vgs: 0.116 Ohms / 2.2A / 4.5V. Serie: HEXFET®. Vdss (Drain-Source-Spannung): 60V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23
IRLML0060TRPBF
11 Parameter
Gate/Source-Spannung Vgs max
±16V
Gehäuse
SOT23
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
2.7A
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
1.25W
Polarität
MOSFET N
Rds on (max) @ id, vgs
0.116 Ohms / 2.2A / 4.5V
Serie
HEXFET®
Vdss (Drain-Source-Spannung)
60V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon
Mindestmenge
5