Transistor MMFTN123

Transistor MMFTN123

Menge
Stückpreis
50-99
0.0852fr
100-499
0.0775fr
500-2999
0.0691fr
3000-8999
0.0619fr
9000+
0.0595fr
Menge auf Lager: 4840
Minimum: 50

Transistor MMFTN123. Betriebstemperatur: 150°C. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: ±20V. Gehäuse: SOT-23. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 0.17A. Information: -. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Polarität: MOSFET N. QG (Total Gate Ladung, max @ vgs): -. Rds on (max) @ id, vgs: 6 Ohms /0.17A / 10V. Serie: -. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec. Mindestmenge: 50. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23

Technische Dokumentation (PDF)
MMFTN123
11 Parameter
Betriebstemperatur
150°C
Gate/Source-Spannung Vgs max
±20V
Gehäuse
SOT-23
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
0.17A
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
0.36W
Polarität
MOSFET N
Rds on (max) @ id, vgs
6 Ohms /0.17A / 10V
Vdss (Drain-Source-Spannung)
100V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec
Mindestmenge
50