VEMT3700F-GS08

VEMT3700F-GS08

Menge
Stückpreis
1-24
0.81fr
25-99
0.50fr
100-499
0.41fr
500+
0.35fr
Menge auf Lager: 410

VEMT3700F-GS08. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 6us. Anzahl der Terminals: 2. Außenbreite [mm]: 2.8mm. Außendurchmesser [mm]: -. Außenlänge [mm]: 3.5mm. Außenstärke [mm]: 1.75mm. Dominante Wellenlänge [nm]: 940nm. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: 3.5x2.8x1.75mm. Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]: ±60°. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Komponentenfamilie: Phototransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +100°C.. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:50

Technische Dokumentation (PDF)
VEMT3700F-GS08
16 Parameter
Abschaltverzögerung tf [μsec.]
6us
Anzahl der Terminals
2
Außenbreite [mm]
2.8mm
Außenlänge [mm]
3.5mm
Außenstärke [mm]
1.75mm
Dominante Wellenlänge [nm]
940nm
Einschaltzeit tr [µsec.]
6us
Gehäuse
3.5x2.8x1.75mm
Halber Erfassungswinkel δ 1/2 [°]
±60°
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
70V
Kollektorstrom Ic [A], max.
50mA
Komponentenfamilie
Phototransistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+100°C.
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay