VNQ830P-E

VNQ830P-E

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VNQ830P-E. Anzahl der Kreise: 4. Anzahl der Terminals: 28. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO28W. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. RoHS: ja. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. [V]: +36V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:48

Technische Dokumentation (PDF)
VNQ830P-E
10 Parameter
Anzahl der Kreise
4
Anzahl der Terminals
28
Gehäuse
SO28W
Komponentenfamilie
Analoge integrierte Schaltung
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
RoHS
ja
Schaltungstyp
MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
[V]
+36V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics