ZY5-6, DO-41, DO-204AC, 2W, 5.6V, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 2W, 5.6V

ZY5-6, DO-41, DO-204AC, 2W, 5.6V, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 2W, 5.6V

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5-49
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50-99
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100-199
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200+
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ZY5-6, DO-41, DO-204AC, 2W, 5.6V, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 2W, 5.6V. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.6V. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 5.6V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: Zenerdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Leistung: 2W. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Verpackung: Ammo Pack. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Zenerstrom: 333mA. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:05

Technische Dokumentation (PDF)
ZY5-6
29 Parameter
Gehäuse
DO-41
Gehäuse (JEDEC-Standard)
DO-204AC
Pd (Verlustleistung, max)
2W
Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.
5.6V
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-41 ( 2.6x5.1mm )
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
2W
Zenerspannung
5.6V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodentyp
Zenerdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Komponentenfamilie
Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]
1uA @ 1V
Leistung
2W
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Spec info
60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation
Technologie
Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology)
Toleranz
5%
Verpackung
Ammo Pack
Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]
1 Ohms @ 100mA
Zenerstrom
333mA
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor

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