1-5KE18A. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Diodentyp: TVS. Durchbruchspannung (Min): 17.1V. Durchbruchspannung: 18V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse: DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15.3V. IFSM: 200A. Information: -. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15.3V. Leistung: 1.5kW. Max Rückspannung: 15.3V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Pulsstrom max.: 59.5A. RoHS: ja. Rückstrom: 1uA. Rückwärts-Abstandsspannung: 15.3V. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Serie: 1.5KE. Spitzenverlustleistung: 1500W. Struktur: unidirektional. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. VRRM: 18V. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:28