1N5335BG, DO-201, 3.9V, 5W

1N5335BG, DO-201, 3.9V, 5W

Menge
Stückpreis
1-9
0.76fr
10-49
0.61fr
50-99
0.51fr
100+
0.41fr
Menge auf Lager: 303

1N5335BG, DO-201, 3.9V, 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Anzahl der Terminals: 2. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 50uA @ 1V. Maximale Temperatur: +200°C.. RoHS: ja. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 320mA. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:23

Technische Dokumentation (PDF)
1N5335BG
11 Parameter
Gehäuse
DO-201
Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.
3.9V
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
5W
Anzahl der Terminals
2
Komponentenfamilie
Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]
50uA @ 1V
Maximale Temperatur
+200°C.
RoHS
ja
Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]
2 Ohms @ 320mA
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi