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BA479G Silizium-PIN-Diode, DO-34 Gehäuse, 30V Vrrm, 50nA Ir, Durchsteckmontage
Produktreferenz : BA479G
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Technische Produktbeschreibung (BA479G):
RoHS: Nein. Anzahl der Anschlüsse: 2. Gehäuse: DO-34. Sperrleckstrom Ir [A]: 50nA. Durchlassstrom If [A]: 0.05A. Konfiguration: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Max. Temperatur: +125°C. Bauteilfamilie: Silizium-PIN-Diode. Repetitive Spitzensperrspannung Vrrm [V]: 30 V. Durchlassspannung Vf [V]: 1V @ 20mA.