BUZ80AF N-Kanal V-MOSFET 800V 2.1A 3 Ohm Durchlasswiderstand

Technische Produktbeschreibung (BUZ80AF):

Spannung Vds(max): 800V. Idss (max): 2.1A. ID (T=25°C): 2.1A. ID (T=100°C): 1.5A. Durchlasswiderstand Rds On: 3 Ohm. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N MOSFET Transistor. Technologie: V-MOS (F). Hinweis: <100/220ns. Menge pro Gehäuse: 1. Pd (Verlustleistung, Max): 40W.