Diode 1N4150, 0.3A, 4A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 50V

Diode 1N4150, 0.3A, 4A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 50V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0302fr
50-99
0.0259fr
100-199
0.0234fr
200+
0.0201fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 234
Minimum: 10

Diode 1N4150, 0.3A, 4A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 50V. Vorwärtsstrom (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 50V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Funktion: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 14/12/2025, 01:04

Technische Dokumentation (PDF)
1N4150
12 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
0.3A
IFSM
4A
Gehäuse
DO-35 ( SOD27 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-35
VRRM
50V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+200°C
Funktion
Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A
Halbleitermaterial
Silizium
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc
Mindestmenge
10

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