Diode BA159, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 1000V

Diode BA159, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 1000V

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Diode BA159, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 1000V. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Vorwärtsstrom [A]: 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 15pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <1.3V / 1A. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Eigenschaften des Halbleiters: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Ifsm [A]: 40A. Information: -. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr&lt;500ns). Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..100uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.3V. MSL: -. Max Rückspannung: 1000V. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pulsstrom max.: 30A. Reaktionszeit: 500ns. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 300ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: <5uA / 1000V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 300 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Schwellenspannung: 1.5V, 1.3V. Serie: BA. Strom fahren: 1A. Trr-Diode (Min.): 500 ns. [V]: 1.3V @ 1A. Originalprodukt vom Hersteller: Dc Components Co. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:05

Technische Dokumentation (PDF)
BA159
47 Parameter
Gehäuse
DO-41
Gehäuse (JEDEC-Standard)
DO-204AC
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
1A
Vorwärtsstrom (AV)
1A
Vorwärtsstrom [A]
1A
IFSM
30A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-41 ( 5.2X2.7mm )
VRRM
1000V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Cj
15pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.3V / 1A
Durchlassspannung Vf (min)
1.3V
Eigenschaften des Halbleiters
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Ifsm [A]
40A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr&lt;500ns)
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
5uA..100uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1.3V
Max Rückspannung
1000V
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Pulsstrom max.
30A
Reaktionszeit
500ns
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
300ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
<5uA / 1000V
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
300 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
1 kV
Schwellenspannung Vf (max)
1.3V
Schwellenspannung
1.5V, 1.3V
Serie
BA
Strom fahren
1A
Trr-Diode (Min.)
500 ns
[V]
1.3V @ 1A
Originalprodukt vom Hersteller
Dc Components Co
Mindestmenge
10