Diode BY500-200, DO-201, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V

Diode BY500-200, DO-201, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V

Menge
Stückpreis
1-4
0.14fr
5-49
0.11fr
50-99
0.0993fr
100-199
0.0894fr
200+
0.0765fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 261

Diode BY500-200, DO-201, 5A, 200A, 5A, DO-201 ( 7.5x5.4mm ), 400V. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Vorwärtsstrom [A]: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50°C...+175°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 220A. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): uA. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 200 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 200V. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Trr-Diode (Min.): 200 ns. [V]: 1.3V @ 5A. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57

Technische Dokumentation (PDF)
BY500-200
30 Parameter
Gehäuse
DO-201
Vorwärtsstrom (AV)
5A
IFSM
200A
Vorwärtsstrom [A]
5A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201 ( 7.5x5.4mm )
VRRM
400V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50°C...+175°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.3V
Funktion
Silizium-Schnellgleichrichterdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
220A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
5uA
MRT (maximal)
10uA
MRT (min)
uA
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
200 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
200V
Schwellenspannung Vf (max)
1.3V
Spec info
Ifsm--200Ap, t=10ms
Trr-Diode (Min.)
200 ns
[V]
1.3V @ 5A
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc

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