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Diode BYV79E-200, TO-220, 200V, 12.7A, 14A, 150A, TO-220-2
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Stückpreis
1-4
1.59fr
5-24
1.39fr
25-49
1.25fr
50-99
1.11fr
100+
0.96fr
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Diode BYV79E-200, TO-220, 200V, 12.7A, 14A, 150A, TO-220-2. Gehäuse: TO-220. VRRM: 200V. Vorwärtsstrom (AV): 12.7A. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 14A. IFSM: 150A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-2. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <1.05V / 14A. Durchlassspannung Vf (min): 0.83V. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Information: -. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. MSL: -. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 30ns. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Serie: BYV79. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Temperatur: +150°C. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:04
BYV79E-200
27 Parameter
Gehäuse
TO-220
VRRM
200V
Vorwärtsstrom (AV)
12.7A
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
14A
IFSM
150A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220-2
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.05V / 14A
Durchlassspannung Vf (min)
0.83V
Funktion
ultraschnelle Gleichrichterdiode
Halbleitermaterial
Silizium
MRT (maximal)
50uA
MRT (min)
5uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
30ns
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.05V
Serie
BYV79
Spec info
Ifsm 150Ap t=10ms
Temperatur
+150°C
Trr-Diode (Min.)
20 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors