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Diode BYW29-200, TO-220, 8A, 8A, TO-220AC, 200V
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5-24
0.90fr
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50-99
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Diode BYW29-200, TO-220, 8A, 8A, TO-220AC, 200V. Gehäuse: TO-220. Vorwärtsstrom (AV): 8A. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Cj: 45pF. Dicke des Kältekühles: 1.14...1.39mm. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. Funktion: SWITCHMODE Power Rectifiers. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Information: -. Konditionierung: tubus. MRT (maximal): 600uA. MRT (min): 5uA. MSL: -. Max Rückspannung: 200V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 25ns. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms). Strom fahren: 8A. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 02/01/2026, 05:00
BYW29-200
29 Parameter
Gehäuse
TO-220
Vorwärtsstrom (AV)
8A
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
8A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AC
VRRM
200V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Cj
45pF
Dicke des Kältekühles
1.14...1.39mm
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung Vf (min)
0.85V
Funktion
SWITCHMODE Power Rectifiers
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Konditionierung
tubus
MRT (maximal)
600uA
MRT (min)
5uA
Max Rückspannung
200V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
25ns
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.3V
Spec info
Ifsm 100A (t=8.3ms)
Strom fahren
8A
Trr-Diode (Min.)
25 ns
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor