Diode DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V

Diode DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V

Menge
Stückpreis
1-3
33.46fr
4-7
31.87fr
8-11
30.64fr
12-19
29.40fr
20+
27.30fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 3

Diode DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V. Vorwärtsstrom (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.17V. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: schrauben. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: „Epitaxiediode“. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

Technische Dokumentation (PDF)
DSEI2X101-06A
24 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
2x96A
IFSM
1200A
Gehäuse
ISOTOP ( SOT227B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
600V
Anzahl der Terminals
4
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.17V
Funktion
Dual-Fast-Recovery-Diode
Halbleitermaterial
Silizium
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
10
MRT (maximal)
20mA
MRT (min)
1mA
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
schrauben
Pd (Verlustleistung, max)
250W
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.25V
Spec info
1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
„Epitaxiediode“
Trr-Diode (Min.)
35 ns
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS

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