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Diode F1T4, 1A, TS-1 ( 2.5x3.3mm ), 400V
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1-4
2.15fr
5-9
1.87fr
10-24
1.81fr
25+
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Diode F1T4, 1A, TS-1 ( 2.5x3.3mm ), 400V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 30Ap/8.3ms. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 01:27
F1T4
6 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TS-1 ( 2.5x3.3mm )
VRRM
400V
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
30Ap/8.3ms
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor