Diode MBRD835LG, 8A, 75A, D-PAK ( TO-252 ), Dpak-3, 35V
Menge
Stückpreis
1-4
0.86fr
5-24
0.71fr
25-74
0.62fr
75-149
0.56fr
150+
0.47fr
| Menge auf Lager: 84 |
Diode MBRD835LG, 8A, 75A, D-PAK ( TO-252 ), Dpak-3, 35V. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 75A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): Dpak-3. VRRM: 35V. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 0.41V. Funktion: „Hochspannungs-Schottky“. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 853LG. MRT (maximal): 35mA. MRT (min): 1.4mA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schottky-Diode?: ja. Schwellenspannung Vf (max): 0.51V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:43
MBRD835LG
16 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
8A
IFSM
75A
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
Dpak-3
VRRM
35V
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Durchlassspannung Vf (min)
0.41V
Funktion
„Hochspannungs-Schottky“
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
853LG
MRT (maximal)
35mA
MRT (min)
1.4mA
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Schottky-Diode?
ja
Schwellenspannung Vf (max)
0.51V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor